Galaxy S25 Slim набрал лишь 6945 баллов в многопоточном тесте Geekbench 6 с чипом Snapdragon 8 Elite

Как сообщается, из-за тонкого корпуса смартфона, процессор начинает быстро перегреваться, что приводит к снижению производительности под нагрузками
10 января 2025, пятница 08:42
Zelikman для раздела Блоги

 Модель Galaxy S25 Slim обозначена как SM-S937U. Она, как и базовая версия Galaxy S25, обладает аналогичным объёмом оперативной памяти — 12 ГБ, что приятно порадует пользователей. Сообщается, что высокопроизводительные ядра в кластере Snapdragon 8 Elite работают с частотой 4,47 ГГц, в то время как энергоэффективные ядра функционируют на частоте 3,53 ГГц. В отношении характеристик внутренние компоненты Galaxy S25 Slim остались на уровне стандартных моделей, тогда как слухи утверждают, что флагманская модель Galaxy S25 Ultra будет единственным вариантом с 16 ГБ ОЗУ.

 Galaxy S25 Slim показывает менее впечатляющие результаты в многоядерных тестах Geekbench 6. В одноядерном тестировании устройство набрало 3005 баллов, что немного превышает результаты Galaxy S25 из предыдущих утечек, но находится в пределах допустимой погрешности. Результат в 6945 баллов в многоядерном тесте существенно ниже, чем у других устройств с данным чипом. Явным виновником такого низкого показателя оказался тонкий корпус Galaxy S25 Slim, который приводит к быстрому перегреву компонентов.

 С другой стороны, Geekbench 6 никогда не являлся настоящим показателем стабильности устройства в повседневной работе, а лишь демонстрирует, на что способно оборудование в короткий промежуток времени при максимальной нагрузке. В преддверии анонса новой серии 22 января, в сеть уже утекли результаты синтетических тестов всех смартфонов Galaxy S25. Однако, реальная картина будет видна лишь после выходом устройств и их независимых испытаний.