В Сан-Франциско на ISSCC 2025 производители полупроводников покажут свои лучшие разработки. В рамках мероприятия запланировано специальное событие, посвященное «Энергонезависимой памяти и DRAM», которое пройдет 19 февраля. Хотя мероприятие не будет открытым для широкой публики, расписание опубликовано на сайте ISSCC.
Компания Samsung намерена продемонстрировать свой новейший GDDR7 DRAM, способный функционировать на рекордной скорости 42,5 Гбит/с. Этот модуль будет иметь емкость 24 Гбит или 3 Гбит, ориентируясь на максимальную производительность GDDR7, и будет обладать большей энергоэффективностью по сравнению с предыдущими моделями. GDDR7 DRAM уже значительно опережает GDDR6, однако, скорость 42,5 Гбит/с на данном этапе слишком высока для коммерческого выпуска в графических процессорах.
В данный момент NVIDIA планирует оснастить свои видеокарты серии Blackwell RTX 50 модулями GDDR7 с пропускной способностью до 28 Гбит/с. Это на 4 Гбит/с выше, чем максимальная скорость памяти GDDR6, составляющая 24 Гбит/с в RTX 4090. Однако, показатель в 42,5 Гбит/с будет примерно на 77% превышать скорость 24 Гбит/с GDDR6 DRAM.
Пользователям не удалось увидеть память GDDR6 с 24 Гбит/с на большинстве графических процессоров, включая ведущие RX 7900 XTX и XT от AMD. Указанные модели работают на скоростях до 20 Гбит/с. Таким образом, достижение пропускной способности в 42,5 Гбит/с не является гарантией даже для будущих графических процессоров. В настоящее время флагманский графический процессор NVIDIA Blackwell GeForce RTX 5090 будет оснащён памятью с пропускной способностью 28 Гбит/с, которая может быть увеличена до свыше 30 Гбит/с в будущих версиях, учитывая прогресс в развитии модулей.
Во время мероприятия ISSCC также будет проведена презентация от компании SK Hynix, которая покажет свою новую 321-слойную 4D NAND-память, которая недавно стартовала в массовом производстве.