Micron, Samsung и SK hynix могут прекратить производство памяти DDR3 и DDR4 к концу 2025 года

По данным DigiTimes, такая мера обусловлена падением цен на указанную продукцию вследствие ценовой конкуренции со стороны китайских компаний и уменьшения спроса на рынке.
19 февраля 2025, среда 03:35
Speis для раздела Блоги

Китайские производители оперативной памяти Changxin Memory Technology (CXMT) и Fujian Jinhua расширяют производство DRAM DDR4, проводя агрессивную ценовую политику. В конце прошлого года их чипы DDR4 были вдвое дешевле аналогичных южнокорейских изделий, а в некоторых случаях даже на 5% дешевле восстановленных микросхем.

Такая ситуация ставит под угрозу рентабельность производства DDR4 для ведущих производителей DRAM, что заставляет их задуматься о переходе на более прибыльные технологии DDR5 и HBM.

Несмотря на высокий спрос на DDR4, китайские компании могут не удовлетворить его полностью. По мнению аналитиков DigiTimes, после прекращения поставок DDR3 и DDR4 на спотовый рынок Micron, Samsung и SK Hynix, с середины 2025 года может возникнуть дефицит DDR4. Тайваньские производители, такие как Nanya Technology и Winbond Electronics, могут попытаться заполнить этот пробел, однако их специализация на нишевых типах DRAM ограничивает объемы производства и приводит к более высоким ценам. Некоторые промышленные клиенты, вероятно, предпочтут специализированную память от Nanya и Winbond китайским аналогам.

По прогнозам Nanya Technology, рынок динамической оперативной памяти (DRAM) достигнет своего минимума в начале 2025 года, а затем восстановится во втором квартале благодаря увеличению спроса, оптимизации запасов и стимулированию экономики. Основным фактором роста станет сфера облачных вычислений, особенно в контексте искусственного интеллекта. Ожидается, что потребительский спрос вырастет незначительно.

Компания Winbond Electronics, столкнувшись с падением спроса на устаревшие версии DDR, планирует к концу 2025 года перейти на более совершенный 16-нанометровый технологический процесс. Это позволит производить более ёмкие 8-гигабитные чипы DDR, что станет значительным шагом к увеличению производительности.