Южнокорейская компания Samsung продолжает довольно успешно развивать производство чипов по техпроцессу менее 3 нм. Согласно последним оценкам аналитиков, процент выпуска годных чипов по техпроцессу 2 нм равен 60%. Вдохновлённая этим успехом, Samsung начала пробное производство на заводе в Тейлоре, штат Техас, США.
Поначалу это предприятие создавалось для производства пластин 4 нм, но далее его преобразуют в центр технологии 2 нм. Это даст Samsung преимущество перед компанией TSMC, ограничившей доступ наиболее передовых технологий на территорию США.
Издание Edaily сообщает, что участки завода Samsung в Техасе уже получили временное разрешение на эксплуатацию, поэтому сюда начали прибывать высококвалифицированные инженеры. Прежде сообщалось о начале пробного производства в марте, для чего задействовали свыше 7000 сотрудников. Голландская компания ASML, поставщик оборудования для EUV-литографии, направила команду для помощи Samsung в развёртывании оборудования.
Если проблем с пробным производством не возникнет, работа завода стартует в этом году, а полномасштабное производство начнётся в 2027 году. Ранее этот завод уже использовался в производстве чипов Exynos 2600.
Samsung уже успела получить ряд американских заказчиков чипов по техпроцессу 2 нм, наиболее выгодным из которых является Tesla. Также у Samsung есть заказы от поставщиков облачных услуг.
Компания TSMC в одиночку не способна справиться с растущим спросом, имея ограниченное производство чипов по техпроцессу 3 нм. Samsung продолжит работать над увеличением процента выпуска годных чипов, снижая себестоимость производства пластин и пытаясь переманить клиентов у TSMC.