Сегодня стало известно, что Samsung Electronics продолжит обновление своей производственной линии флэш-памяти на заводе в китайском Сиане. Переход с шестого поколения V-NAND на восьмое поколение намечен на этот год, что должно улучшить производственные показатели.
Согласно информации, новая линия V9 NAND будет построена в течение года, и ее мощность составит от 2000 до 5000 пластин в месяц. Ожидается, что новое оборудование начнет работать в первой половине 2025 года. В прошлом году Samsung уже запустила массовое производство памяти на основе технологии V-NAND девятого поколения на заводе в Пхёнтэке, Южная Корея.
Кроме того, южнокорейские СМИ сообщают, что Samsung стремится увеличить долю усовершенствованных узлов NAND, которые отличаются высокой производительностью и емкостью. Это решение поможет компании адаптироваться к сложной ситуации на рынке флэш-памяти, где спрос и предложение требуют балансировки. В то же время, изменения в производственных процессах могут привести к естественному сокращению объемов производства.