На недавней конференции IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) в Сан-Франциско компания TSMC представила подробности о своей новой технологии 2-нм N2. Этот процесс, основанный на использовании нанолистов, демонстрирует значительные улучшения по сравнению с предыдущими поколениями. TSMC сообщает, что новый процесс обеспечивает на 15% более высокую производительность и снижает потребление энергии на 30%.
Ключевым аспектом нового техпроцесса является использование транзисторов с круговым затвором (GAA), что позволяет увеличить плотность транзисторов на 1,15 раза. Это означает, что производители смогут разместить больше логических ячеек на меньшей площади, что является важным шагом для оптимизации производительности. Переход от традиционной технологии FinFET к нанолистам дает больший контроль над током, что позволяет адаптировать процесс под различные требования.
Тем не менее, внедрение 2-нм процесса может столкнуться с определенными трудностями. Ожидается, что стоимость пластин N2 вырастет на 10% по сравнению с 3-нм, достигая 25 000–30 000 долларов за штуку. Это стоит учитывать таким производителем как Apple и NVIDIA, которые, вероятно, будут первыми использовать новую технологию.
С учетом всех этих факторов, несмотря на обещанные улучшения, массовое внедрение нового процесса может занять больше времени, чем ожидалось. Начальные объемы производства будут ограничены, что может замедлить переход на новую технологию в начале ее внедрения.