Итак, на пробу был приобретён 1 модуль памяти SAMSUNG ёмкостью 1Gb. Расположение чипов на планке одностороннее, их 8 штук.
(кликните по картинке для увеличения)Маркировка: M378T2863QZS-CF7 Чипы: SEC 907 HCF7
K4T1G084QQ Вкладка
SPD CPU-Z:
(кликните по картинке для увеличения)spdРазгон производился на следующей конфигурации:
МП: ASUS P5K-E /bios 1305
Проц: Intel E7200 1.2v
Кулер: CM GeminIIS
Память: Samsung /1Gb
Видео: NV-GV88T512HP
Винт: STM3160815AS
БП: FSP AX500-A
OC: Windows XP SP3 RUS
Transaction Booster был выставлен в значение Disable.
(кликните по картинке для увеличения) Сначала была проведена попытка выявления максимальной частоты памяти, при которой загружается Windows:
(кликните по картинке для увеличения)maxМаксимально достигнуто было 542Мгц при 2.2v и 2T 6-6-6-15-3-45-5-3-3.
Далее была выяснена максимальная частота, на которой не было выявлено ошибок программой MemTestPro:
(кликните по картинке для увеличения)stableОна составила 523Мгц при тех же 2.2v и 6-6-6-15 2T.
Также был проверен разгонный потенциал памяти при таймингах cl5.
Максимальная частота составила 449Мгц при 2.1v и 2Т 5-5-5-15-3-45-5-3-3:
(кликните по картинке для увеличения) cl5 Разгон производился " на столе" при комнатной температуре 27 С. Дополнительный обдув памяти не использовался. На протяжении всего тестирования чипы памяти были чуть теплее температуры тела. Мониторинг напряжения дополнительно был произведён мультиметром, и, как оказалось, материнка абсолютно точно выставляла напряжение на памяти.
На этом всё.