Компания Micron в прошлом полугодии заявила, что память типа 3D NAND может насчитывать более 200 слоёв, но теперь становится ясно, что демонстрируемые SK Hynix амбиции не дадут американскому конкуренту сохранить лидерство в этой сфере. Как отмечает ресурс Guru of 3D, южнокорейский производитель пытается ввести в оборот новый термин – память типа "4D NAND", которая подразумевает размещение вспомогательных функциональных блоков не сбоку от ячеек памяти, а непосредственно под ними. Соответственно, повышается и плотность хранения информации на единице площади микросхемы.

SK Hynix готова начать к концу года поставки образцов памяти типа 4D NAND на базе 64-слойной TLC. В 2019 году может быть выпущена 128-слойная память этого типа, а в перспективе количество слоёв может быть увеличено в пять раз.

Другими словами, речь пойдёт о 500-600 слоях, как минимум. Во второй половине следующего года SK Hynix намеревается перевести на компоновку 4D NAND память типа QLC. Подобное техническое решение должно позволить со временем снизить себестоимость памяти по сравнению с традиционной компоновкой.