В четвёртом поколении 3D NAND компания Micron изменит архитектуру ячейки памяти

В ходе встречи с аналитиками представители компании Micron рассказали о планах изменить архитектуру памяти ячейки 3D NAND. Все три поколения многослойной памяти 3D NAND компаний Intel и Micron — 32-слойная, 64-слойная и новая 96-слойная — опирались на ячейку с плавающим затвором (floating gate, FGT). Четвёртое поколение памяти, которое будет оперировать более чем 96 слоями, перейдёт на ячейку с ловушкой заряда (charge trap, CTF). Надо сказать, что ранее Micron уже планировала совершить данные переход летом 2016 года, но по ряду причин от этого пришлось отказаться (коней на переправе не меняют, ага).

Ячейка с плавающим затвором представляет собой достаточно объёмную конструкцию, в которой под затвором управляющего транзистора фактически расположен ещё один затвор, отделённый от основного затвора и транзисторного канала слоями диэлектрика. Подобная конструкция позволяет перезаписывать и хранить данные (изменять заряд) с помощью электрического сигнала. Ячейка памяти с ловушкой заряда не несёт массивной дополнительной конструкции и хранит электроны (заряд, данные) в тонком слое (в плёнке) нитрида кремния. Ячейку CTF, например, с самого начала в памяти 3D NAND использует компания Samsung.

В идеальном случае ячейка CTF при равном с ячейкой FGT техпроцессе занимает одну пятую объёма, а запоминающий уровень — одну десятую. Иначе говоря, память становится плотнее и дешевле в пересчёте на площадь кристалла. Кроме этого производство памяти с ячейкой CTF имеет меньше шагов (примерно на 20 %) и этим также снижает себестоимость выпуска. Также ячейка CTF легче масштабируется для снижения технологических норм производства и проще программируется.

Всю массу этих преимуществ Micron намерена реализовать в четвёртом поколении 3D NAND. Вряд ли это будет просто. Компания Samsung свыше двух лет отлаживала производство 3D NAND с ячейкой CTF. Кстати, переход на CTF мог стать причиной разрыва отношений Intel и Micron. Ранее компании сообщили, что четвёртое поколение памяти 3D NAND каждая из них будет разрабатывать самостоятельно. Компания Intel может продолжить эксплуатировать ячейку FGT, благо у неё для этого есть свой завод в Китае. В Intel всегда придерживались принципа "зачем что-то менять, если всё работает?". Так что мы не удивимся, если всё так и будет.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.4 из 5
голосов: 8

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают