По сути, всё общение генерального директора Intel с аналитиками на квартальной отчётной конференции свелось к обсуждению причин задержки перехода массовых продуктов марки на 10-нм технологию производства, и формированию определённых организационных выводов из этой ситуации. Как мы уже выяснили в предыдущем материале, Intel изначально поставила слишком амбициозные цели по степени уменьшения геометрических размеров полупроводниковых элементов, получаемых при помощи 10-нм технологии. Возможностей используемого при иммерсионной литографии оборудования явно не хватало для того, чтобы быстро и в нужных экономических рамках наладить массовый выпуск 10-нм изделий. Попутно глава Intel провозгласил 10-нм техпроцесс последним, не использующим литографию со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV).

Пришлось Брайану Кржаничу (Brian Krzanich) коснуться и темы перехода на 7-нм техпроцесс. Как он отметил, 10-нм техпроцесс будет актуален на протяжении нескольких лет, и в своём развитии преодолеет три фазы (10-нм, 10-нм+ и 10-нм++), но в перспективе ему на смену готовится 7-нм техпроцесс. Прежде всего, он должен внедряться уже с учётом EUV-литографии, а это потребует использования другого оборудования. Впрочем, глава Intel уверен, что основная часть оборудования (до 80%) позволит компании выпускать как 10-нм, так и 7-нм изделия, и балансировать объёмы выпуска в соответствии с рыночной конъюнктурой.

Во-вторых, Intel в случае с 7-нм техпроцессом уже не ставит столь амбициозных целей по масштабам "уменьшения геометрии". Неудачи с 10-нм техпроцессом научили её не пытаться прыгнуть выше головы. Тем более, что в будущем Intel рассчитывает использовать разные техпроцессы для изготовления разных элементов одного продукта: от 7-нм вплоть до 22-нм. Впрочем, достигаться это будет за счёт объединения разных кристаллов на одной подложке, а потому возможны некоторые компоновочные компромиссы с точки зрения быстродействия или размеров изделия.

В-третьих, Intel не станет отказываться от освоения 10-нм техпроцесса в пользу перехода сразу на 7-нм технологию. Первый из этих техпроцессов позволит ей многому научиться, а поскольку значительная часть оборудования будет унифицирована, то и капитальные затраты удастся удержать на приемлемом уровне.