Ещё в середине декабря аналитики подразделения DRAMeXchange компании TrendForce опубликовали доклад, в котором рассказали о трёх будущих китах китайского производства памяти типа DRAM и NAND. Это компании Yangtze Memory Technologies Company (YMTC), JHICC (Fujian Jinhua Integrated Circuit Co) и Innotron. Первая из них будет выпускать флеш-память в виде многослойных чипов 3D NAND, а две других должны наладить выпуск памяти типа DRAM, LPDDR, GDDR и других типов оперативной памяти.

Сейчас мы не будем подробно рассказывать о каждой из этих компаний (для желающих есть ссылка на первоисточник на англ. языке), уточним только, что все они почти с нуля строят новые заводы для обработки 300-мм кремневых пластин и собираются наладить в Китае самодостаточное производство памяти по разработанным в Китае же технологиям. Нюансы также опустим. Деньги на эти цели в достаточном количестве дают как правительство, так и местные частные структуры. Речь идёт о фондах объёмом в сотни миллиардов долларов США.

К строительству новых заводов все три героя сегодняшнего рассказа приступили в начале 2017 года. Обычно на возведение цехов и создание инфраструктуры требуется около одного года. Потом начинается завоз оборудования для выпуска продукции. После этого должно пройти ещё до 12 месяцев для развёртывания полномасштабного производства. Как раз на этой неделе руководство всех трёх компаний сообщило об успешной фазе "завоза" оборудования в цеха и об относительно скором начале коммерческого производства.

Первой отчиталось руководство компании Yangtze Memory Technologies (YMTC). Это дочка корпорации Tsinghua Unigroup. Примерно через пять лет компания Yangtze Memory на своих производствах планирует каждый месяц обрабатывать около 300 тыс. 300-мм пластин с чипами 3D NAND. Завоз промышленного оборудования на первую линию нового завода компании начался 11 апреля. Ограниченное коммерческое производство на предприятии начнётся в конце текущего года. Это будет разработанная в Китае совместно со специалистами компании Spansion 32-слойная 64-Гбит память 3D NAND (у Spansion, как у бывшего СП компаний AMD и Fujitsu, есть патенты на ячейки NAND).

На торжественном мероприятии по поводу ввоза оборудования глава Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что Yangtze Memory заключила первый контракт на поставку 32-слойной памяти для выпуска 8-Гбайт карточек SD. Правда, объёмы контракта мизерные — всего 10 776 микросхем. Но, лиха беда начало. Также в компании намерены завершить в 2019 году и, возможно, внедрить в производство 64-слойную 128-Гбит память 3D NAND.

Второй о текущих работах по ввозу оборудования отрапортовала компания JHICC (Fujian Jinhua Integrated Circuit Co). У этой компании всё идёт несколько живее, чем у YMTC. Правда надо сказать, что компании JHICC и тайваньская UMC, которая для китайцев разрабатывает технологию производства памяти типа DRAM, находятся в контрах с американской Micron. Осенью прошлого года Micron подала в суд на UMC за воровство коммерческих секретов, на что позже UMC и JHICC подали в суды в Китае ответные иски с обвинением Micron в нарушении патентов. Изначально JHICC специализировалась на выпуске памяти для потребительской электроники. Вероятно, на новом заводе будет развёрнуто также производство всех основных типов современной оперативной памяти.

Строительство завода JHICC шло с опережением графика. Цеха и инфраструктура были готовы на полтора-два месяца раньше запланированного, что произошло в середине ноября прошлого года, и завоз оборудования начался в январе. К июлю компания планирует завершить завоз линий и уже в сентябре рассчитывает начать опытное производство памяти типа DRAM.

Наконец, последней отстрелялась компания Innotron Memory. Исполнительный директор Innotron Дэвид НК Вон (David NK Wang) сообщил, что массовое производство 8-Гбит микросхем DDR4 начнётся в 2019 году. До сих пор компания выпускала микросхемы LPDDR для китайских производителей смартфонов. Опытное производство памяти DDR4 компания Innotron Memory начнёт в конце 2018 года. В течение 2019 года объёмы месячной выработки должны составить 20 тыс. 300-мм пластин. Первая фаза строительства нового завода компании завершилась в январе этого года. Начало строительства цехов второй очереди начнётся в 2020 году. К 2021 году компания планирует разработать дизайн 17-нм памяти DRAM. Что важно, Innotron собирается опираться на сырьё и оборудование исключительно китайского производства.