GlobalFoundries: потенциал FinFET-конструкций уже на исходе


Технический директор GlobalFoundries в интервью сайту AnandTech говорил и об освоении 5-нм техпроцесса, над которым компания работает в сотрудничестве с IBM и Samsung. Теоретические основы были раскрыты ещё в прошлом году, был продемонстрирован рабочий образец примитивной микросхемы, выпущенной по 5-нм технологии.

По мнению технического директора GlobalFoundries, так называемые FinFET-конструкции начинают изживать себя, поэтому проводятся эксперименты по освоению "вертикальных транзисторов". По первым прогнозам, 5-нм техпроцесс обеспечит хороший прирост быстродействия и повышение плотности размещения транзисторов. Таким образом, "жизнь после 7 нм" гарантируется и продуктам AMD, которая является одним из главных клиентов GlobalFoundries.

Оценитe материал
рейтинг: 2.8 из 5
голосов: 4

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают