Samsung демонстрирует превосходство 7-нм техпроцесса с использованием EUV


Компания Samsung, как уже не раз сообщалось, во второй половине текущего года начнёт серийный выпуск полупроводников с использованием 7-нм техпроцесса и впервые в коммерческом производстве чипов задействует литографические сканеры с длиной волны 13,5 нм (диапазон EUV). Ранняя адаптация EUV-сканеров — это тот шанс для Samsung (и TSMC), который впервые за многие годы позволит конкурентам обойти компанию Intel. В подтверждение этих слов на конференции International Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) представитель Samsung сделал доклад, в ходе которого рассказал об опытном выпуске полностью рабочих массивов памяти SRAM.

Но начнём мы с 10-нм техпроцесса компании Intel, о чём она тоже рассказывала на ISSCC 2018. При переходе со второго поколения 14-нм техпроцесса на первой поколение 10-нм техпроцесса площадь ячейки SRAM удалось уменьшить в размерах до величины, составляющей 0,62-0,58 от предыдущей площади: до 0,0312 мкм2 и 0,0367 мкм2 в зависимости от разновидности техпроцесса (от заданной плотности размещения транзисторов). Выше в таблице приводятся характеристики ячеек для каждого из представленных техпроцессов Intel. Размеры ячейки SRAM, которую компания Samsung создала с частичным использованием EUV-сканеров, для 7-нм техпроцесса составили 0,026 мкм2. По возможностям создать минимальную по площади ячейку Intel отстала от Samsung в пределах 15 %, но отстала, чего пока никогда не случалось.

Заявляя о практическом успехе, компания Samsung, тем не менее, отказалась детально уточнить сроки запуска 7-нм техпроцесса в коммерческих масштабах. Однако возможность выпускать рабочие 256-Мбит массивы SRAM "уменьшили опасения" производителя в способности сделать это в ожидаемый период — до конца текущего года.

Кроме этого достижения Samsung сообщила о снижении сопротивления разрядной шины на 75 %, о решении на 20 % проблемы нестабильных показателей напряжения на минимальных уровнях и о пользе EUV при проектировании разводки на кристаллах. В последнем случае речь идёт об упрощении горизонтальной разводки за счёт увеличения числа сквозных соединений. Сканеры EUV, напомним, в первой реализации 7-нм техпроцесса Samsung будут использоваться для изготовления трёх или четырёх критически важных слоёв, в том числе для изготовления сквозных соединений.

Компания TSMC также отметилась докладом на конференции. Представитель TSMC рассказал об опытном выпуске блока компилятора кэш-памяти первого уровня. Тестовый блок, выпущенный с использованием 7-нм техпроцесса компании (TSMC для этого не будет использовать сканеры EUV) показали устойчивую работу на частоте 4.4 ГГц. Предел частоты для 16-нм техпроцесса составлял 3 ГГц. Тем самым тайваньский производитель доказывает, что процессоры смартфонов и другие процессоры в штатных режимах смогут работать на частотах свыше 4 ГГц.

Оценитe материал
рейтинг: 4.5 из 5
голосов: 8

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают