Состоялся официальный анонс Z-SSD Samsung на памяти Z-NAND

Компания Samsung официально представила твердотельные накопители Z-SSD на памяти Z-NAND. Память Z-NAND, насколько сообщалось раньше, это многослойная NAND или 3D NAND (Samsung называет её V-NAND) с записью одного бита в каждую ячейку. Казалось, что память NAND SLC ушла в прошлое, поскольку она обладает низкой плотностью записи. Её себестоимость слишком высока, чтобы сделать SSD на её основе популярным решением даже в корпоративном сегменте. Поэтому массовой памятью стала NAND с ячейкой MLC и TLC (два и три бита в ячейке), как и готовится выйти на массовый рынок SSD память 3D NAND QLC с четырьмя битами в ячейке.

И вот, Samsung вспомнила о памяти SLC и адаптировала её для производства в многослойном исполнении. Так выходит дешевле и в ряде случаев оправдано. Например, там, где требуется высочайшая производительность в реальном режиме времени. Добавим, с самого начала Samsung позиционировала память Z-NAND в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint и накопителей Intel Optane. Последняя характеризуется самыми маленькими в отрасли задержками — менее 10 мкс — и использует иной принцип записи данных в ячейку. Кстати, в этом году Samsung переведёт память Z-NAND на двухбитовую ячейку. Интересно, чем она тогда будет отличаться от обычной 3D NAND MLC?

Но вернёмся к сегодняшнему анонсу. Компания шла к нему полтора года. Память Z-NAND была представлена в августе 2016 года. В апреле 2017 года Samsung показала опытные образцы Z-SSD в виде 800-Гбайт модели SZ985. Однако на этом всё остановилось. Массовое производство новинки было перенесено на 2018 год. Это произошло только теперь, но и то с натяжкой. Раскрыть все подробности работы накопителей Z-SSD компания обещает на ежегодной конференции ISSCC 2018, которая пройдёт в Сан-Франциско с 11 по 15 февраля. В общем-то, через десять дней.

Пока Samsung докладывает, что в показателях IOPS для случайных 4-Кбайт блоков скорость операций ввода/вывода в секунду для чтения достигает 750 тыс., а для записи — 170 тыс. Накопители Intel Optane DC P4800X 375 Гбайт во время чтения развивают 550 тыс. IOPS, а во время записи — 500 тыс. IOPS. Задержки во время записи у накопителей Samsung SZ985 равны 16 мкс, а у Intel Optane DC P4800X — менее 10 мкс. Действительно, по этому параметру с памятью 3D XPoint никто не может сравниться.

Зато по устойчивости к записи накопители Samsung SZ985 в представленной 800-Гбайт версии значительно опережают 375-Гбайт Intel Optane DC P4800X. Каждый из них гарантирует 30 полных перезаписей объёма в сутки, но SZ985 может делать это в течение 5 лет, а Intel Optane DC P4800X — только в течение 3 лет. Во всяком случае, это ограничение гарантии каждой из компаний. Следует сказать, что секрет высокой устойчивости Samsung SZ985 может ещё быть в том, что на борту накопителя, как сообщалось ранее, 1 Тбайт памяти Z-NAND, тогда как пользователю доступны только 800 Гбайт из этого массива, а остальное представляет собой резерв.

О последовательных скоростях чтения и записи Samsung в пресс-релизе не упоминает. Ранее сообщалось, что опытные экземпляры Samsung SZ985 развивают одинаковую скорость в обоих устоявшихся режимах и она достигает 3,2 Гбайт/с. Накопители Intel Optane DC P4800X, напомним, характеризуются устоявшейся скорости записи на уровне 2 Гбайт/с, а скоростью чтения — 2,4 Гбайт/с. В качестве буфера оперативной памяти SZ985 Samsung несёт 1,5 Гбайт LPDDR4. Контроллер SSD собственной разработки Samsung. На конференции ISSCC 2018 компания также покажет или представит 240-Гбайт модель Z-SSD.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.7 из 5
голосов: 26

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают