Western Digital представила новое поколение однокорпусных SSD iNAND


Компания Western Digital вслед за компаниями Toshiba и Samsung представила новое поколение однокорпусных SSD: iNAND 8521 и iNAND 7550. Как и в случае аналогичных моделей Toshiba и Samsung, накопители Western Digital собираются из нескольких 64-слойных кристаллов 3D NAND флэш объёмом 512 Гбит. Правда, есть отличия. Накопители Toshiba и Western Digital собираются на одних линиях и состоят максимум из 4 кристаллов памяти, что даёт в сумме 256 Гбайт, а накопители Samsung содержат аж 8 кристаллов, собранных в столбик, что даёт максимальную ёмкость 512 Гбайт. Кроме памяти, напомним, в состав таких сборок входит контроллер памяти, поэтому изделия представляют собой готовые к распайке флэш-накопители в одном корпусе.

Все новые накопители Toshiba, Samsung и линейка iNAND 8521 Western Digital используют последовательный сигнальный интерфейс UFS 2.1. Линейка iNAND 7550 Western Digital эксплуатирует параллельную шину eMMC 5.1. Многие флагманы (производительные SoC) уже поддерживают шину UFS и могут получить преимущества от работы с ней: скорость обмена данными с памятью и снижение потребления. Кроме смартфонов накопители типа iNAND Western Digital получат распространение в устройствах, где необходимо много памяти в мобильном варианте использования — в автономных устройствах дополненной и виртуальной реальности, в камерах с панорамной съёмкой, в решениях с элементами искусственного интеллекта, в устройствах с поддержкой сотовых сетей 5G.

Заявленные Western Digital характеристики накопителей iNAND отличаются от характеристик накопителей Toshiba и Samsung. Так, для iNAND 8521 с шиной UFS устоявшаяся скорость чтения достигает 800 Мбайт/с, а устоявшаяся скорость записи — 500 Мбайт/с. Соответствующие параметры UFS-накопителей Toshiba и Samsung равны 900 и 860 Мбайт/с и 180 и 255 Мбайт/с. Похоже, что 500 Мбайт/с для устоявшейся записи iNAND 8521 Western Digital — это кратковременный режим записи с кэшированием и (или) запись в режиме псевдо SLC, когда MLC или TLC ячейка переводится в режим однобитовой записи.

Добавим, значение IOPS для режима чтения случайных блоков iNAND 8521 достигает 50 тыс. операций, а для режима чтения — 45 тыс. Для своих новейших UFS-накопителей Samsung указывает 42 тыс. операций и 40 тыс. В Toshiba не уточняют эти параметры.

Накопители iNAND 7550 Western Digital с интерфейсом eMMC 5.1 не такие быстрые: скорость устоявшейся записи достигает 260 Мбайт/с, а значения IOPS приближаются к 22 тыс. для операций чтения и к 15 тыс. для операций записи. В свободную продажу подобные изделия не попадают, поэтому цена на них не раскрывается. Ждём новинки в смартфонах образца 2018 года.

Оценитe материал
рейтинг: 4.3 из 5
голосов: 6

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают