Опытная ReRAM показывает надёжность и устойчивость к износу


Судя по поиску на сайте, мимо нас прошла новость о молодой компании из Израиля, которая разрабатывает интересную технологию производства резистивной памяти ReRAM. Таких технологий уже как грязи, но пока никто не вышел на коммерческое производство резистивной памяти. Израильтяне поступили интересно. Они не стали изобретать велосипед, а лицензировали семь патентов профессора Джеймса Тура (James Tour) из Университета Райса, который считается крупнейшим специалистом современности по нанотехнологиям и соответствующим материалам. В 2014 году ими была основана компания Weebit Nano, которая уже в 2015 году предложила прототип ячейки ReRAM.

В начале пути у компании Weebit Nano было не очень хорошо с финансированием. Для доступа к финансам было совершено так называемое обратное поглощение. Компанию Weebit Nano поглотила австралийская компания Radar Iron, после чего последняя исчезла и взяла имя Weebit Nano. Это позволило компании выйти на IPO на Австралийскую биржу ценных бумаг и начать привлекать средства.

С первого взгляда понятно, что присутствует некая многоходовочка. В ней можно подозревать активное участие хорошо известного нам гражданина Дэвида (Дэди) Перлмуттера (David Perlmutter). До февраля 2014 года это был главный архитектор компании Intel, и он наверняка запомнился многим нашим читателям по прежним выступлениям. По роду своей деятельности он был частым гостем на израильском производстве Intel. Осенью 2015 года Перлмуттер входит в состав директоров Radar Iron, а в 2016 году, после поглощения Weebit Nano назначается на пост председателя совета директоров объединённой компании. Но это всё лирика. Перейдём к физике.

Центром Leti в Гренобле выпущен опытный 4-Кбит массив памяти ReRAM с ячейкой масштаба 300 нм. Ячейка ReRAM компании Weebit Nano интересна тем, что может выпускаться на современном оборудовании с использованием обычных материалов, в частности оксида кремния SiOx. До конца года разработчики обещают представить технологию производства ReRAM с 40-нм ячейкой, но пока все эксперименты по определению надёжности технологии проводились на массиве из 300-нм ячеек.

Сообщается, что память ReRAM сохраняла данные (уровень сопротивления в ячейках) при температурах 150, 200 и 260 градусов по Цельсию. Последнее значение соответствует температуре пайки расплавленным припоем. Данные оставались надёжно записанными в течение получаса нагрева, тогда как стандарт требует этого в течение 15-минутного цикла. Тем самым доказано, что память выдержит несколько циклов пайки. Проверка и экстраполяция данных также подтвердили, что ячейка ReRAM может удерживать данные в течение 10 лет без подачи питания. Наконец, число циклов перезаписи у опытной ячейки ReRAM значительно выше, чем у актуальной энергонезависимой памяти. Ждём новых экспериментов.

Оценитe материал
рейтинг: 4.6 из 5
голосов: 19

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают