Samsung готовится к массовому производству 28-нм eMRAM на пластинах FD-SOI


До нынешнего года компания Samsung редко и неохотно рассказывала о своих достижениях в деле производства полупроводников. Обычно это происходило в те моменты, когда Samsung представляла новые однокристальные схемы. С мая этого года ситуация изменилась. В компании пришли к мнению, что пора отделять мух от котлет. Пора разделять бизнес по выпуску фирменных чипов и выпуск чипов по контракту. Создание дочернего предприятия Samsung Foundry способствовало тому, что информация о технологических достижениях компании пошла живее.

Вчера Samsung Foundry сообщила о взятии нового рубежа. Официальным пресс-релизом нам сообщили, что в компании создали первый в индустрии цифровой проект опытного блока встраиваемой магниторезистивной памяти eMRAM для производства на подложках FD-SOI в рамках 28-нм техпроцесса (28FDS). В настоящий момент память eMRAM выпускается с использованием 40-нм технологических норм на обычных подложках из монолитного кремния. Переход на 28-нм техпроцесс и подложки FD-SOI уменьшит площадь ячеек и повысит энергоэффективность решений. Добавим, в дальнейшем Samsung планирует внедрить производство eMRAM с нормами 18 нм (18FDS).

Подложки FD-SOI, напомним, это кремниевые пластины с дополнительным изолирующим слоем из полностью обеднённого кремния. Слой изолятора дополнительно снижает паразитные утечки и позволяет без снижения масштаба техпроцесса повысить производительность транзисторов и уменьшить энергопотребление. Грубо говоря, характеристики транзисторов техпроцесса 28FDS близки к характеристикам транзисторов техпроцесса 18-20 нм. Опытная работа с техпроцессом 28FDS начата компанией в прошлом году. На данный момент Samsung говорит о существовании более 40 цифровых проектов для производства чипов с использованием техпроцесса 28FDS.

Чтобы добавить в контроллер, процессор или однокристальную схему блок памяти eMRAM требуется внести в проект и на кристалл всего три дополнительных слоя. При этом число слоёв контактной группы останется неизменным. Данным новшеством уже заинтересовались в компании NXP и работают с Samsung над созданием прикладных процессоров iMX со встроенной памятью eMRAM.

Следует сказать, что встраиваемую память eMRAM предлагает также компания GlobalFoundries. В этот раз GlobalFoundries воспользовалась техпроцессом, который ей предложила не Samsung, а компания STMicroelectronics. На заводах GlobalFoundries готовится внедрение производства 22FDX с нормами 22-нм. Рисковое производство в рамках техпроцесса 22FDX начнётся в конце следующего года, когда Samsung уже будет выпускать массовые решения 28FDS. Впоследствии GlobalFoundries намерена начать выпуск 12-нм продуктов в техпроцессе 12FDS.

Как и Samsung, компания GlobalFoundries будет использовать пластины FD-SOI, которые, надо отметить, хорошо себя зарекомендовали также как основа для производства радиоэлектронных (высокочастотных) решений. С использованием техпроцессов 28FDS и 22FDX будут выпускаться интегрированные радиочастотные усилители мощности, входные усилители с низким уровнем собственных шумов и прочее. Всё это станет компактнее, эффективнее и чуточку дешевле.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 11

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают