На конференции Flash Memory Summit, которая в эти дни проходит в Санта-Клара, компания Samsung поделилась планами по развитию памяти типа 3D NAND. Южнокорейский производитель стал пионером массового производства многослойной флэш-памяти, что произошло в 2013 году — на полтора-два года раньше, чем смогли конкуренты. Она до сих пор во многом опережает соперников по рынку флэш-памяти, и нынешняя конференция не стала исключением. Компании Samsung было чем удивить.

На мероприятии представители Samsung сообщили, что в следующем году компания начнёт массовый выпуск 1-Тбит кристаллов 3D NAND. Скорость передачи для каждого кристалла будет достигать 1,2 Гбит/с. В один стек будет паковаться до 32 кристаллов. Для соединения кристаллов в стеке будет введён один дополнительный (нижний) слой для проводной обвязки. По всей видимости, это будет память с записью четырёх бит в каждую ячейку. На выходе получатся 2- и 4-Тбайт сборки, благодаря которым компания сможет выпускать в 2,5-дюймовом формфакторе 128-Тбайт SSD.

Другой интересной новостью стала информация о начале поставок компанией Samsung клиентам опытных SSD на памяти Z-NAND. Память Z-NAND была анонсирована на прошлогоднем саммите Flash Memory Summit. О ней мало что известно. По словам Samsung, память Z-NAND — это "убийца" памяти Intel 3D XPoint. Архитектура Z-NAND нацелена на максимальное снижение задержек при обращении и рабочие образцы, которые уже есть в распоряжении компаний NetApp и Datera, на уровне отдельных кристаллов демонстрируют задержки менее 15 мкс на скорости передачи данных 800 Мбит/с. Накопители на памяти Z-NAND ориентированы на работу с аналитическими программами и используются для кэширования данных.

По некоторым признакам, память Z-NAND представляет собой память 3D NAND с однобитовой ячейкой, за счёт чего достигается высокая скорость, надёжность и малое время доступа. Косвенно это подтвердили представители Samsung, сообщив, что в следующем году начнётся выпуск Z-NAND с записью двух бит данных в ячейку. Это позволит сделать инновационную память дешевле для клиентов, хотя задержки при обращении к Z-NAND MLC немного увеличатся.

Помимо традиционной NAND-флэш компания Samsung не забывает о перспективных типах энергонезависимой памяти. В Samsung напомнили, что с 2002 года в компании разрабатывают магниторезистивную память MRAM и память с изменяемым фазовым состоянием вещества (как Intel 3D XPoint). Память MRAM и PRAM обещает стать тем решением, которое сделает оперативную память энергонезависимой.

Наконец, Samsung показала прототип SSD в формфакторе M.3. Накопители M.3 шире SSD в формфакторе M.2. Предложенный Samsung вариант имеет размеры 30,5 x 110,0 x 4,38 мм. Продемонстрированные компанией накопители M.3 будут иметь ёмкость до 16 Тбайт и поддерживать скорость в IOPS до 500 млн операций в секунду (когда в следующем году перейдут на 1-Тбит чипы). Современный прототип даёт возможность выпустить решение в формате U1 ёмкостью 576 Тбайт с производительностью 10 млн IOPS.