Компания GlobalFoundries официально сообщила, что проектировщики могут начинать создавать решения для производства с использованием 7-нм техпроцесса 7LP FinFET (Leading-Performance). Это могут быть производительные мобильные SoC, серверные или сетевые процессоры. По сравнению с техпроцессом 14 нм FinFET техпроцесс 7LP FinFET позволит увеличить производительность до 40% и снизить площадь решений на величину до 50 %. Заявленная плотность размещения затворов (транзисторов) в техпроцессе 7LP FinFET составит 17 млн штук на мм2. Это один из важных показателей, поскольку для ряда слоёв необходимо будет использовать по три фотошаблона, что увеличит себестоимость производства. Так что двукратное увеличение объёма выпуска решений с одной пластины сможет частично компенсировать рост затрат на производство 7-нм чипов.

В компании уточняют, что техпроцесс 7LP FinFET опирается на традиционную иммерсионную литографию и сканеры в диапазоне 193 нм. В то же время GlobalFoundries инвестирует в новейшее производственное оборудование и, в частности, покупает две EUV-установки. Монтаж EUV-сканеров на линиях завода Fab 8 в США намечен на осень текущего года. Для обработки критически важных слоёв в рамках 7-нм техпроцесса эти установки будут готовы где-то через год после этого, но, скорее всего, к коммерческой работе приступят только в 2019 году.

Первые цифровые проекты 7-нм решений в компании рассчитывают получить в первой половине следующего года. Тогда же будет организован выпуск опытных 7-нм чипов по заказам первых клиентов. Всё это должно произойти до середины 2018 года, чтобы уже во второй его половине GlobalFoundries смогла начать массовый выпуск 7-нм продукции. В идеале GlobalFoundries будет отставать от компании TSMC на шесть месяцев. По факту это разрыв может составить до девяти месяцев.