IBM сообщила о "прорыве" в разработке техпроцесса с нормами 5 нм


Пару недель назад в компании Samsung признались, что рисковое производство с нормами 5 нм начнётся в 2019 году. Правда, акцент во время доклада о разработке новых техпроцессов был сделан на 4-нм нормы производства, но сути это не меняет. Транзисторы с нормами 4 и 5 нм получат новую структуру. В компании Samsung её называют multi-bridge channel FET или MBCFET. Внешне это то же кремниевое ребро FinFET, только теперь оно не цельное. Кремниевый канал из монолитного ребра превратился в несколько кремниевых перемычек (их можно наблюдать в разрезе на фото ниже), окружённых со всех сторон материалом затвора. Это значительно повысило площадь затвора и возможность регулировки токов, а также значительно снизило утечки.

"Ответственность" за разработку MBCFET или, в общем случае — GAAFET (gate-all-around FET), взяла на себя компания IBM. О разработке рассказано вчера на конференции VLSI Technology and Circuits в Киото (Япония). Разработка проведена в сотрудничестве с компаниями GlobalFoundries и Samsung на базе центра IBM Research Alliance. Из этого следует, что транзисторы MBCFET с нормами 5 нм будет выпускать как Samsung, так и GlobalFoundries. В IBM уверены, что это революционное изобретение в ряду многих других, которые компания сделала за свою историю.

По словам разработчиков, смартфоны на 5-нм элементной базе смогут работать без подзаряда 2-3 дня. Более внятные формулировки разъясняют, что по сравнению с 7-нм FinFET техпроцессом производительность 5-нм техпроцесса с каналами в виде "наностраниц" вырастет на величину до 40%. При одинаковой производительности энергопотребление 5-нм чипов окажется на 75% меньше 10-нм чипов. Плотность размещения транзисторов также вырастет. Так, с использованием опытного техпроцесса 7 нм компания IBM два года назад выпустила чип с 20 млрд транзисторов. Техпроцесс 5 нм позволит на той же площади кристалла разместить до 30 млрд транзисторов.

Добавим, для выпуска 5-нм решений на базе транзисторов из "наностраниц" и окружающих их затворов будет использоваться EUV-литография. К этому времени литографию с длиной волны 13,5 нм производители обкатают на техпроцессе с нормами 7 нм и, по видимому, 6 нм. Во всяком случае, даже сегодня всё это партнёры смогли воплотить в кремнии, хотя, вряд ли речь идёт о рабочих чипах.

Оценитe материал
рейтинг: 4.9 из 5
голосов: 25

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают