IBM разработала лучшие изоляторы для 7-нм техпроцесса


На этой неделе на симпозиуме IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) представитель компании IBM сделал доклад о создании изолирующих материалов с лучшими свойствами, чем актуальные изоляторы из нитрида кремния (SiN). Два новых материала в своём составе кроме кремния и нитрида содержат либо углерод и бор (SiBCN), либо кислород и углерод (SiOCN). В случае использования SiN-изоляторов, считают в IBM, на долю паразитных ёмкостей будет приходиться до 85% от общей ёмкости чипа. Переход на плёнки SiBCN и SiOCN позволит значительно снизить этот негативный фактор и предоставит возможность повысить производительность и энергоэффективность будущих решений.

Для оценки качества работы новых изолирующих материалов для 22-нм техпроцесса компания использовала изолятор толщиной 10 нм. Для опытного 7-нм чипа толщина изолятора снижена до 6 нм. Что интересно, практическое внедрение новых изолирующих материалов планируется не только для 7-нм техпроцесса, но также для действующего 14-нм техпроцесса на линиях компании GlobalFoundries. Тем самым, как вариант, нас может ждать доработанный 14-нм техпроцесс с решениями AMD с лучшими характеристиками. При производстве 5-нм полупроводников разработчики IBM предполагают использовать абсолютный изолятор — воздушные зазоры.

Ещё одним фактором для повышения паразитной ёмкости в компании IBM назвали краевую неравномерность соединительных проводников (line edge roughness, LER). На примере высокоточной математической модели IBM показала, что повышение краевой неравномерности ведёт к росту паразитных ёмкостей, поэтому этот фактор необходимо научиться компенсировать.

Оценитe материал
рейтинг: 4.7 из 5
голосов: 16

Лента материалов раздела

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают