Производители твердотельной памяти активно соревнуются в темпах увеличения количества слоёв 3D NAND, и корейская компания SK Hynix уже готова наладить выпуск 72-слойных 256-гигабитных микросхем во втором квартале, а 512-гигабитные микросхемы этого типа появятся в конце года.

Не желая выпадать из повестки дня отраслевого мероприятия ISSCC 2017, компания Western Digital Corporation заявила, что приступила к пилотному выпуску 64-слойных 512-гигабитных микросхем памяти типа 3D NAND на своём японском предприятии, доставшемся от SanDisk. К слову, в разработке этой памяти приняла участие компания Toshiba, так что это успех не только WDC. Массовое производство 512-гигабитных микросхем 3D NAND с 64 слоями начнётся во второй половине этого года.

О готовности выпускать 64-слойные микросхемы 3D NAND корпорация Western Digital заявила ещё в июле прошлого года, а теперь она гордится, что первой в отрасли осваивает выпуск 512-гигабитных микросхем этого типа. Данная память найдёт применение в твердотельных накопителях марки Western Digital.