SK Hynix начнёт выпуск 72-слойной 3D NAND во втором квартале

На днях компания SK Hynix обновила каталог продукции, а в рамках отчётной конференции рассказала о некоторых планах на будущее. Забегая вперёд, отметим, что компания планирует расширять производство NAND-флэш, но не будет увеличивать объёмы производства DRAM-памяти. Это будет прямо означать, что компания SK Hynix косвенно поспособствует дальнейшему росту цен на память для ПК, поскольку не будет спешить удовлетворять растущий спрос на DRAM. Если вы собираетесь в этом году покупать модули памяти, чем раньше это сделаете, тем меньше придётся потратить. По самым скромным оценкам до конца года память подорожает ещё минимум на 25%.

Главным достижением этого года для компании SK Hynix станет начало производства 72-слойной памяти 3D NAND (в терминах компании — 3D-V4 (TLC)). Выпуск 256-Гбит 72-слойных микросхем компания начнёт во втором квартале, а в четвёртом квартале приступит к производству 512-Гбит 72-слойных 3D NAND. Конкуренты SK Hynix в лице компаний Samsung и Toshiba приступили к выпуску 64-слойной 3D NAND, так что флэш-память SK Hynix будет считаться одной из самых плотных в индустрии, что подразумевает меньшую себестоимость хранения каждого бита данных.

При переходе на 72-слойную память минимальный размер блока увеличен с 9 Мбайт до 13,5 Мбайт. Это автоматически повышает производительность при работе с памятью. Однако возникает другая проблема. Рост ёмкости микросхем делает невозможным выпускать производительные SSD небольшого объёма, ибо будет отсутствовать параллелизм в работе. Вряд ли это приведёт к отсутствию на рынке недорогих SSD небольшой ёмкости, но, тем не менее, могут появиться относительно медленные твердотельные накопители. С другой стороны, компания может упаковывать по 16 кристаллов в один корпус — а это 1-Тбайт однокорпусные SSD или 2-4 Терабайт SSD в формфакторе M.2. Эти накопители будут достаточно быстрыми.

Возвращаясь к производству памяти DRAM, добавим, что в 2017 году компания SK Hynix не будет наращивать объёмы производства. Вместо этого она будет продолжать выпускать DRAM с использованием 21-нм техпроцесса и начнёт поэтапный перевод производства на выпуск памяти с техпроцессом класса 10 нм (предположительно — с нормами 18 нм). Переход на выпуск 18-нм DRAM увеличит выход памяти в пересчёте на биты, но не на микросхемы. Проще говоря, о чём мы уже упомянули в начале заметки, в пересчёте на микросхемы и модули памяти объёмы выпуска SK Hynix не изменятся, а спрос будет опережать предложение.

Объёмы производства в 2017 году будут повышены для выпуска 3D NAND, для чего компания задействует площадь второго этажа на заводе M14. Китайский завод C2 компании по выпуску DRAM начнёт расширять чистую комнату. Завершение модернизации китайского предприятия намечено на 2019 год. После этого, возможно, SK Hynix сможет выпускать больше DRAM.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.0 из 5
голосов: 11

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают