Tsinghua Unigroup строит в Китае ещё один завод для выпуска DRAM и 3D NAND

В конце прошедшей недели крупный китайский инвестиционный холдинг — компания Tsinghua Unigroup — сообщил о планах строительства ещё одного полупроводникового завода в Китае. Китайским компания требуется всё больше микросхем и, в частности, микросхем памяти как DRAM, так и NAND-флэш. Ранее компания Tsinghua Unigroup пыталась найти партнёров для получения доступа к памяти или к патентам на производство памяти среди зарубежных производителей. Так, она обращалась к компании SK Hynix и даже делала попытку приобрести акции компании Micron. Во всех случаях китайцам было отказано. Тогда Tsinghua приступила к строительству заводов для выпуска памяти на территории Китая.

В прошлом году между Tsinghua Unigroup и компанией Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing (XMC) создано совместное предприятие для выпуска памяти 3D NAND по лицензии компании Spansion (бывшее СП компаний AMD и Fujitsu). СП Yangtze River Storage Technology (YRST) уже приступило к строительству завода по выпуску 3D NAND на 300-мм пластинах. Первая очередь линий начнёт работать в 2018 году. Завершение строительства ожидается к 2020 году с выходом на мощность 300 тыс. пластин в месяц. Объём инвестиций — $24 млрд (за Micron предлагали $23 млрд).

Второй завод для выпуска памяти, как стало официально известно на днях, будет построен в городе Нанкин. Первая фаза производства потребует $10 млрд инвестиций и будет обеспечивать ежемесячную обработку 100 тыс. пластин. Сроки ввода в строй первой очереди производства не уточняются. Основная проблема для китайцев — это получение лицензий и технологий, необходимых для производства передовых типов памяти. Как с этим обстоят дела у компании Tsinghua Unigroup, доподлинно неизвестно.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.2 из 5
голосов: 12

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают