ARM поддержала 7-нм техпроцесс TSMC пакетом для проектировщиков

Официальным пресс-релизом компания ARM сообщила о доступности пакета Artisan physical IP для проектирования чипов с учётом возможностей 7-нм FinFET техпроцесса компании TSMC. В частности, пакет на правах лицензирования приобретён компанией Xilinx для проектирования FPGA-матриц, SoC и другой продукции. Ожидается, что первые цифровые проекты с использованием платформы ARM Artisan появятся в первой половине 2017 года, а образцы чипов в 7-нм кремнии выйдут до конца того же года.

Готовность платформы для проектирования 7-нм микросхем позволяет вчерне оценить выигрыш от перехода с актуальных 16-нм решений на 7-нм, о чём пока никто ничего конкретного не говорил. Теперь же представители ARM высказали мысль, что 7-нм чипы позволят удержать производительность на уровне 3 ГГц с одновременным снижением потребления на 20% по сравнению с 16-нм FinFET техпроцессом. Добавим также, что пакет Artisan IP для 7-нм техпроцесса TSMC не учитывает использование EUV-литографии, а опирается исключительно на современную иммерсионную литографию со 193-нм сканерами.

Пакет ARM Artisan IP для 7-нм техпроцесса потребовал значительной доработки. Во-первых, при переходе на 7-нм техпроцесс проектировщики столкнутся с тем, что фоновое (естественное) излучение будет влиять на работу любой памяти в составе чипа. Во-вторых, разводка проводников становится более сложной задачей из-за таких усилившихся явлений, как перекрёстные помехи и электромиграция. В-третьих, для снижения площади кристалла требуется дополнительное согласование слоя с металлизацией (BEOL) и кристалла (FEOL). Каждую из этих задач новый пакет помогает успешно решать.

Для снижения влияния излучения вся память теперь поддержана механизмами аппаратной коррекции ошибок. Электромиграцию и помехи позволяет уменьшить специальный пакет, отвечающий за разводку линий питания. Оптимизация при разводке питания даёт возможность на 10% снизить использование площади кристалла и увеличивает утилизацию поверхности кристалла на 20% (с 60% до 80%). Проектирование слоя металлизации теперь учитывает больше нюансов архитектуры кристалла. Дополнительно в пакете реализован метод проектирования массивов памяти SRAM с учётом структуры ячеек памяти, что позволяет оптимизировать массивы. Получить доступ ко всему этому может любой желающий. Лицензии на Artisan IP свободны для приобретения.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 2.8 из 5
голосов: 4

Лента материалов раздела

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают