Как мы не раз отмечали, по-настоящему массовый выпуск многослойной или вертикальной флэш-памяти типа 3D NAND освоили только две компании — это Samsung, что произошло более двух лет назад, и компания Micron на пару с Intel, что состоялось менее года назад. Компании SK Hynix и Toshiba всё никак не выйдут из периода раскачки, хотя на словах пытаются убедить нас в обратном. Не будем сегодня трогать компанию Toshiba, послушаем, что обещает SK Hynix.

Итак, в эфире The Korea Economic Daily. Если верить источнику, SK Hynix планирует в конце ноября приступить к массовому производству 48-слойных микросхем 3D NAND. С третьего квартала прошлого года компания была способна в месяц выпускать только по 10 000 пластин с 36-слойной памятью 3D NAND (128-Гбит MLC). До конца текущего года объёмы производства будут расширены до 20-30 000 пластин в месяц и это будут уже 48-слойные микросхемы 3D NAND (256-Гбит TLC). Тем самым этот южнокорейский производитель доведёт долю памяти 3D NAND в своей флэш-продукции до 15%.

По данным аналитиков компании IHS Markit, доля 3D NAND неуклонно повышается. Так, в 2015 году на многослойную память приходилось только 6,7% в общем потоке флэш-памяти NAND-типа. В 2016 году доля 3D NAND поднялась до 23,6%, а в 2017 году обещает увеличиться до 57,8%. Это прямо означает, что продукция на основе многослойных микросхем — все типы твердотельных накопителей — будет дешеветь.

Следующей на очереди в планах SK Hynix внедрение в производство 72-слойной 3D NAND, разработка которой идёт полным ходом. Произойдёт это ближе к концу следующего года. Сегодня самой передовой памятью 3D NAND, находящейся в массовом производстве, считается 64-слойная память. Такую летом начала выпускать компания Toshiba и в течение месяца-двух начнёт выпускать компания Samsung.