реклама
При производстве микросхем высокая производительность транзисторов не всегда является приоритетом. Ряд сфер применения подразумевает, что нужно отдавать приоритет экономическим показателям: изделия должны быть дёшевы в производстве и технологичны, при этом отличаться умеренным энергопотреблением. Компания GlobalFoundries на этой неделе заявила о начале освоения 12-нм техпроцесса в разновидности с использованием полностью обеднённого кремния на изоляторе – так называемого FD-SOI, который уже используется в техпроцессе с условным обозначением 22FDX. К слову, как утверждают представители GlobalFoundries, даже он обеспечивает более высокую производительность транзисторов по сравнению с 14/16-нм техпроцессами, использующими FinFET-структуры. При этом, вариант FD-SOI не требует использования дорогостоящих методик вроде EUV-литографии и формирования рисунка за несколько проходов. Всё это делает конечную продукцию более дешёвой.
По словам представителей GlobalFoundries, 12-нм техпроцесс в разновидности FD-SOI найдёт применение в сфере мобильных устройств, телекоммуникационного оборудования (в частности, в сетях 5G), системах искусственного интеллекта и "автопилотах" для автомобилей. По сути, все эти сегменты рынка тесно связаны - "умные автомобили" потребуют постоянного подключения к сетям 5G, а отвечать за совершенствование алгоритмов их управления будет искусственный интеллект. Всё это кажется делом не самого близкого будущего, но и 12-нм техпроцесс GlobalFoundries намеревается предложить клиентам в виде первых цифровых проектов только в первой половине 2019 года. Внедрение данной технологии будет осуществляться на Fab 1 – предприятии компании в окрестностях Дрездена, которое досталось от AMD.
реклама
GlobalFoundries утверждает, что техпроцесс 12FDX обеспечит уровень быстродействия, сопоставимый с 10-нм технологией FinFET, но с лучшими стоимостными и энергетическими характеристиками. Технология 12FDX превосходит существующие версии FinFET-техпроцессов по быстродействию на 15%, но при этом демонстрирует снижение энергопотребления на 50%. Использовать техпроцесс 12FDX выразили желание компании NXP Semiconductors, VeriSilicon, Soitec и китайские разработчики.
