Samsung представила 6-Гбайт микросхему LPDDR4 класса 10 нм


Похоже, размер в 6 Гбайт для оперативной памяти смартфонов и планшетов станет популярным решением. Ранее, при освоении новых техпроцессов, компания Samsung начинала выпускать 3-Гбайт и 6-Гбайт чипы памяти для мобильных устройств. Новый техпроцесс класса 10 нм компания также "обновила", запустив в производство 6-Гбайт чип DRAM LPDDR4, о чём сообщают тематические источники.

Демонстрация новинки состоялась на выставке Mobile Solutions Form в китайском Шеньчжэне. По слухам, 6-Гбайт чип в скором времени станет бортовой памятью ещё не выпущенного смартфона Galaxy Note 6 с 5,8-дюймовым экраном. Переход на память с нормами класса 10 нм обещает увеличить энергоэффективность работы оперативной памяти в мобильных устройствах и хотя бы частично компенсировать увеличение потребления в связи с растущими объёмами памяти в устройствах.

Следует уточнить, что выпуск "10-нм" памяти вовсе не означает, что компания Samsung значительно уменьшила технологические нормы при производстве. По всей видимости, речь идёт о технологических нормах, равных 18 нм, что формально попадает под определение "класса 10 нм". Также следует понимать, что ёмкость кристаллов, из которых собран 6-Гбайт чип LPDDR4, скорее всего составляет 6 Гбит, а представленный чип — это упаковка из 8 таких кристаллов. Но это не отменяет главного — производители смартфонов и компания Samsung в первую очередь вскоре смогут воспользоваться передовой разработкой. Добавим, Samsung ничуть не сбавляет темп внедрения новейших техпроцессов — это то, что позволяет ей идти впереди всех со значительным отрывом от конкурентов на рынке памяти.

Оценитe материал
рейтинг: 4.5 из 5
голосов: 25

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают