реклама
На этой неделе в Шанхае прошла конференция такой организации, как FD-SOI Forum. В числе выступающих на форуме был генеральный директор компании GlobalFoundries — Санджей Джа (Sanjay Jha). После доклада сей гражданин был отловлен корреспондентом сайта EE Times и тщательно допрошен. Ответы гендиректора GlobalFoundries представляют существенный интерес.
В июне компания представила техпроцесс 22FDX. Это техпроцесс с нормами 22 нм на полностью обеднённых кремниевых пластинах с дополнительной изолирующей подложкой "кремний на изоляторе" (FD-SOI). Пластины FD-SOI помогают снизить утечки и повысить эффективность работы транзисторов. Дополнительно реализованная технология питания со смещением напряжения узла позволяет ещё больше уменьшить утечки за счёт понижения питания до 0,3 вольт. Данная технология пришла в компанию из IBM, и с завершением в июле поглощения заводов IBM будет развиваться силами самой GlobalFoundries.
реклама
На днях завод GlobalFoundries в Дрездене должен выпустить первый пробный кремний на FD-SOI (22FDX). Коммерческое производство с применением техпроцесса 22FDX начнётся во второй половине 2016 года. Техпроцесс 22FDX обещает появление полупроводников по цене 28-нм решений, но с характеристиками 14-нм FinFET решений. По мнению руководителя GlobalFoundries — выпуск решений на пластинах FD-SOI приведёт к появлению смартфонов ценой до $100 и даже до $80, производительность которых не будет уступать современным флагманским моделям. Техпроцесс, подобный 14-нм FinFET, никогда не позволит выпустить столь доступные модели с подобными возможностями. В этом плане ставка на пластины FD-SOI становится стратегическим решением.
Как известно, для выпуска 14-нм FinFET полупроводников компания GlobalFoundries приобрела лицензию у компании Samsung. Поглощение заводов компании IBM повлекло за собой приём на работу специалистов этой компании. Поэтому дальнейшие техпроцессы компания GlobalFoundries будет разрабатывать самостоятельно. Использовать EUV-оборудование вряд ли получится до 2018 или 2019 года, поэтому в деле всё та же иммерсионная литография со 193-нм сканерами. Компания будет масштабировать производство до 10 и 7 нм. Кстати, выпуск 14-нм решений для "одного крупного" заказчика уже стартовал, а в следующем году к нему добавится ещё пара-тройка клиентов.
Также в наследство от компании IBM компании GlobalFoundries достались технология и завод по выпуску радиочастотных модулей на пластинах RF-SOI. Особенно данное производство выигрывает от ввода в действие сетей 4G (LTE) с массой рабочих поддиапазонов. По мнению GlobalFoundries, данный сегмент окажется единственным, который будет приносить всё возрастающую прибыль на рынке чипсетов для смартфонов. Для расширения этого направления компания начала переносить технологию производства RF-SOI на свои заводы в Сингапуре.
Дополнительно рассматривается вопрос о внедрении технологии 22FDX (FD-SOI) на заводе Fab 8 в США, но окончательного решения ждать ещё не скоро. В целом, компания GlobalFoundries излучает уверенность. Однако мы помним, что тайваньская UMC по итогам прошлого года вытолкнула её со второго места на рынке контрактных полупроводников на третье. Можно ожидать, что "допинг" в виде заводов IBM снова изменит баланс сил на рынке контрактников, но это тема для другого разговора.
