Кристалл eDRAM компания Intel выпускает на основе массива FinFET транзисторов

С 11 по 13 июня в японском Киото прошёл ежегодный симпозиум разработчиков полупроводников — VLSI Symposium. Как и было обещано, один из докладов компания Intel посвятила рассказу о встроенной в процессор Haswell памяти eDRAM. Мы уже знаем, что модуль eDRAM компания Intel будут выпускать самостоятельно. Как стало известно из доклада компании, для его выпуска будет использоваться тот же самый 22-нм HKMG-процесс, что и для производства процессоров (отличия будут в материалах для изолятора и затворов).

Многослойная конструкция кристаллов с девятью металлическими слоями даёт возможность в одном из слоёв организовать ёмкости для удержания заряда — это слой изолятора, окружённый двумя слоями металлической фольги. Управляющий ячейкой памяти eDRAM транзистор является таким же по конструкции FinFET-транзистором, как и активный элемент в составе логики Haswell. Компании Intel не пришлось ничего изобретать — решение вышло элегантное и по-своему простое. При этом транзистор в составе памяти может работать при напряжении 0,75-1 В что заметно ниже питания обычной памяти. Рабочие токи такого транзистора, если журналисты EE Times ничего не напутали, на три порядка(!) меньше, чем в случае логики.

Площадь ячейки eDRAM в 22-нм техпроцессе уменьшена до 0,029 кв. мкм. Площадь ячейки SRAM в том же техпроцессе равна 0,092 кв. мкм — это в три раза больше. То есть eDRAM оказывается много плотнее и энергетически эффективнее привычной кэш-памяти.

Подобной технологией обладает компания IBM. Ячейка eDRAM IBM несколько меньше по площади, чем ячейка eDRAM Intel и равна 0,026 кв. мкм. Происходит это за счёт того, что конденсаторы ячеек имеют углублённую траншеевидную форму — по площади они меньше в разрезе. В то же время, по словам Intel, у них одинаковая плотность — порядка 17,5 Мбит/кв. мм. У компании Intel есть другое неоспоримое преимущество. Её eDRAM уже находится в массовом производстве, что позволит на практике обкатать технологию. Когда мы увидим практическое использование eDRAM компании IBM, остаётся только догадываться. Можно было рассчитывать, что eDRAM IBM в том или ином виде появится в составе APU AMD для приставки Microsoft Xbox One, но консоль анонсирована, а информации об участии IBM в проекте как не было, так и нет.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.2 из 5
голосов: 40

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают