Ещё немного о технологиях IBM, GlobalFoundries и Samsung

На прошлой неделе прошёл форум альянса Common Platform, информацию с которого мы продолжаем изучать. На форуме трио из компаний IBM, Globalfoundries и Samsung вместе и порознь рассказывали о планах развития полупроводниковых технологий и техпроцессов. Что интересно, из Альянса как-то выпали другие участники, а это компании STMicro, NEC, Toshiba и ряд других производителей. Впрочем, с производством у многих совсем плохо вплоть до закрытия фабрик. Зато компании GlobalFoundries и Samsung на подъёме. Более того, по мнению обеих, в плане освоения 28/32-нм HKMG-процесса в мире нет никого круче этой парочки. Что на это сказать? Когда лесник ушёл, партизаны могут вздохнуть свободно. Компания Intel переоборудовала мощности под выпуск 22-нм процессоров, оставив конкурентам возможность добивать 32-нм и наращивать 28-нм техпроцесс. А компания TSMC, похоже, сама сразу от двух производителей отбиться не может.

Но в этой новости мы поговорим немного о другом. В который раз специалисты IBM рассказали о том ворохе проблем, который им придётся решать при освоении техпроцессов с нормами менее 20 нм и при переходе на EUV-излучение. Во-первых, компания вновь подтверждает, что в её силах дотянуть до EUV-литографии, опираясь лишь на проекцию с помощью двух фотошаблонов. Это значительно упростит подготовку к производству и само производство с нормами 20/14 нм и 10 нм. Но здесь IBM делает оговорку. Двойная проекция тоже несёт с собой ряд проблем, решить которые можно лишь с помощью набора технологий и инструментов проектирования, разработанных в компании. Среди ряда "трюков", например, IBM выделяет необходимость двухцветной топологии.

Большим вызовом для себя IBM считает начало работы с производственным оборудованием на основе сверхжёсткого ультрафиолетового (EUV) излучения. Начиная с 45-нм техпроцесса снижение норм производства шло по плавной убывающей масштаба. С переходом на EUV производители столкнутся с тем, что жёсткое излучение будет поглощаться всем, чем только возможно, включая фокусирующие зеркала и фотошаблоны. Так называемый релеевский фактор — показатель волнового рассеивания или эффективности излучения — впервые за много лет подпрыгнет вверх до неприемлемых величин. Как с этим бороться с практической точки зрения пока не знает никто.

Надо сказать, что у разработчиков в запасе много интересных подходов для сохранения современных методов проекции вплоть до 7 нм решений, как и есть различные задумки по поводу того, как организовать EUV-производство. Например, есть желание перейти к самоорганизующимся структурам на основе полимеров, как и использовать углеродные нанотрубки. Только здесь научных дел тоже невпроворот.

Наконец, в компании знают, что будет после FinFET транзисторов. Это многоуровневые 3D-микросхемы с обязательным использованием кремниевой фотоники, когда все внутрипроцессорные соединения и выход на внешние линии будет организован с помощью оптических проводников и соответствующих интегрированных микро маршрутизаторов и коммутаторов.

Как говорил один из основателей нанотехнологий: "Там внизу так много места!" Осталось только придумать и сделать инструменты, чтобы разработать эту "золотую жилу".

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.9 из 5
голосов: 49

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают