Не успела магниторезистивная память перейти к стадии коммерческого производства, как исследователи из Университета Калифорнии разработали технологию, способную её улучшить. Дело в том, что модули, которые компания Everspin планирует делать по технологии STT, бесспорно, хороши, но для переноса спинового момента, на котором базируется их работа, требуется немалое количество энергии. Именно этот недостаток попытались искоренить калифорнийские специалисты – пишет сайт упомянутого университета.

В модуле памяти, которую разработчики назвали MeRAM, ключевую роль играет различная ориентация ячеек двух магнитных слоёв. Ориентация одного из них фиксирована, в то время, как вторая меняется электрическим полем. При его включении между магнитными слоями создаётся разность потенциалов, заставляющая электроны аккумулироваться на поверхности слоя. Применяя такую методику, энергоэффективность памяти, по словам разработчиков, вырастает в 10-1000 раз, при этом модули остаются совершенно холодными. По их же заявлениям, в связи со стартом производства STT-RAM наладить выпуск MeRAM будет совсем несложно, и вдобавок ко всем её преимуществам, плотность такой памяти будет в пять раз выше, чем у сделанной по технологии STT.