Texas Instruments пыталась, но не смогла изменить порядок внедрения новых техпроцессов

На смену современному производственному проекционному оборудованию на основе 193-нм лазера могла прийти 157-нм проекция, признаётся технолог компании Texas Instruments, Джим Блэтчфорд (Jim Blatchford). В своё время его компания провела переговоры с производителями инструментов, в ходе которых был достигнут определённый консенсус. Когда пришла пора обсуждать стандарты, отраслевая группа разработчиков — SPIE, Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers — отдала предпочтение иммерсионной (погружной) литографии. Оправдание этому шагу было традиционное: лучше использовать то, что уже проверено, а метод погружения линз в жидкость проверен, что называется, столетиями.

Впервые возможность увеличить разрешение микроскопов с помощью помещения жидкости между линзой и объектом доказал в семнадцатом столетии английский натуралист Роберт Хук (Robert Hooke). Три сотни лет спустя подобные микроскопы появились в качестве повседневных рабочих инструментов во всех научных лабораториях мира. Принцип работы данного подхода заключается в том, что последняя в системе линза погружается в жидкость с высокой плотностью и высоким значением коэффициента преломления (больше 1). Тем самым разрешение проекции увеличивается на заметную величину без уменьшения длины волны проекционного лазера.

Первой погружную литографию в 2005 году широко использовала компания TSMC, применив её к выпуску 65-нм полупроводников. Компания AMD перешла на иммерсионный метод проекции применительно к 45-нм решениям, а компания Intel — на этапе внедрения 32-нм полупроводников. При этом для уменьшения размера элемента на кристалле использовалась также пошаговая проекция с двумя и даже тремя фотошаблонами.

К настоящему времени о планах TI перейти на менее рискованную "сухую" 157-нм проекцию все благополучно забыли, а ведь всё могло сложиться иначе... Пределом развития иммерсионной 193-нм литографии одни называют 8-нм техпроцесс, другие — 5-нм и даже 3-нм. Но вычерпать её возможности, как говорится, до дна — это может обойтись в серьёзную копеечку. Где-то на рубеже внедрения 10-нм техпроцесса в свои права обещает вступить EUV-литография с длиной волны равной 13 нм.

Над производственным EUV-оборудованием сейчас корпят компании Nikon, Canon и ASML. В последнюю, как вы можете помнить, в этом году хорошо вложились компании Intel, Samsung и TSMC. Это даёт определённый шанс, что через два-три года о коммерческой EUV-проекции можно будет говорить более уверенно. Пока же скептики критикуют как ожидаемые сроки продолжительности жизни 193-нм иммерсионной литографии, так и скорую возможность ввода в строй EUV-литографии. Ох, уж эти скептики! То не так стоишь, то не там сидишь! К счастью, практика доказывает, что EUV-литография — это, пусть и не так, как того хотелось бы, но реально работающие процессы.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.6 из 5
голосов: 48

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают