О незаслуженно забытых планах Toshiba по выпуску флэш-памяти типа ReRAM


В последние дни прошла серия публикаций, посвящённых перспективной энергонезависимой памяти типа ReRAM (резистивная память или память на мемристорах). Мы знаем, что подобную память активно разрабатывают такие компании, как HP, SK Hynix, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida и Sharp. Наверняка этот список неполон, поскольку ReRAM обещает настоящий прорыв в области энергонезависимых систем хранения данных. Наши коллеги с сайта Bright Side Of News, например, откопали в летнем архиве издания Nikkei Electronics статью с ReRAM-планами компании Toshiba. Поскольку мы тоже прошли мимо этой заметки, имеет смысл восполнить пробел.

В настоящий момент Toshiba имеет на руках тестовую микросхему памяти ReRAM ёмкостью 64-Гбит. Это так называемый образец прототипа. Образцы прототипов 128-Гбит и 256-Гбит памяти появятся в 2013 году. Инженерные образцы 128-Гбит и 256-Гбит микросхем ReRAM японский производитель покажет в 2014 году. Массовое производство серийных микросхем резистивной памяти начнётся в 2015. Это примерно на год-полтора позже, чем собираются сделать компании HP и SK Hynix. Компания Elpida имеет на руках 64-Мбит образцы памяти ReRAM и пока не может представлять угрозы на этом поле своим конкурентам, но вопрос заключается в том, как воспользуется этими разработками после поглощения активов Elpida компания Micron? В любом случае, как говорится, в отношении резистивной памяти лёд тронулся. Кстати, Bright Side Of News намекает, что компания SanDisk (как производственный партнёр Toshiba) тоже не останется в стороне от использования ReRAM, но подробности остались за рамками заметки.

Отдельно отметим, что параллельно разработке ReRAM компания Toshiba на всех парах идёт к освоению производства трёхмерной флэш-памяти BiCS (Bit Cost Memory). Фишка BiCS заключается в предельно плотном послойном расположении уровней с ячейками.

В компании сообщают, что умеют создавать работоспособный стек с 16 слоями. Флэш-память BiCS будет представлена в тех же ёмкостях и в те же сроки, что и память ReRAM. Но поскольку ячейки BiCS опираются на NAND-флэш, через пару поколений после начала производства они всё же уступят новым видам флэш-памяти. В частности — памяти ReRAM.

Оценитe материал
рейтинг: 4.6 из 5
голосов: 52

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают