В качестве основы для интегральных схем кремний служит уже более 50 лет и, по мнению некоторых учёных, в скором времени должен уступить место более перспективным материалам. На углерод с двумерной гексагональной кристаллической решёткой, именуемый графеном, в этой области возлагаются большие надежды, и разработчики микропроцессоров ведут детальные исследования материала.

Определённых успехов в "приручении" графена добилась IBM около года назад: тогда был получен микропроцессор, работающий на частоте 10 ГГц, а также отдельные транзисторы со скоростью переключений 145 ГГц. Между тем, графеновые полевые транзисторы, из которых должны формироваться интегральные схемы, характеризуются высокими токами утечки, из-за чего отсутствует возможность задания двух состояний, пригодных для двоичной логики.

Для решения этой проблемы специалисты компании Samsung использовали комбинацию кремния и графена для создания барьера Шоттки, пишет издание Science. Этот механизм позволяет "отключить" ток в транзисторах, при этом не лишая графен преимущества в виде высокой подвижности электронов. Полупроводниковый прибор, полученный таким образом, назван "барристором" (англ. "barristor", образовано от слова "barrier").

На своё изобретение Samsung получила 9 патентов, описывающих структуру и функционирование барристора. По всей видимости, южнокорейским инженерам удалось решить одну из самых сложных проблем, препятствующих внедрению графена в полупроводниковую промышленность.