Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware TT
Новая технология компоновки памяти позволит поднять скорость её работы.

реклама

Корреспонденту сайта Denali Memory Report , посетившему выставку Design West, которая проводилась несколько дней назад, удалось побеседовать с представителем фирмы Micron Майком Блэк (Mike Black). Разговор касался совместной с IBM разработки Micron, носящей название Hybrid Memory Cube (HMC), и представляющий собой трёхмерную компоновку из четырёх чипов DRAM и слоя системной логики, на общей подложке.

Создавая прототип HMC, Micron фактически удалось достичь поставленной цели: его пропускная способность составила 121 Гб/с, всего на пять процентов не дотянув до запланированных 128 Гб/с. Тем не менее, очевидно, что применение технологии HMC позволит добиться существенного роста скорости работы подсистемы памяти. По словам Блэка, первые коммерческие образцы HMC следует ожидать в первой половине 2013 года, и они будут представлены модулями по 16 гигабайт, а к 2015 году, их ёмкость планируется удвоить.

Написать комментарий (0)

Сейчас обсуждают