Компания Samsung объявила о разработке модулей оперативной памяти DDR3 RDIMM ёмкостью 32 Гбайт. Микросхемы памяти этих модулей выполнены по технологическому процессу 30-нм класса с применением технологии межслойных соединений TSV (Through Silicon Via). Данный метод изготовления микросхем подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. Пробивая отверстия в кристалле с последующей металлизацией, производитель получает возможность уйти от массы соединительных межслойных проводников. Помимо непосредственной экономии места на подложке, это значительно совершенствует сигнальные характеристики микросхем.

Каждая из микросхем модуля совмещает четыре кристалла ёмкостью 1 гигабит. Микросхема способна передавать данные со скоростью 1333 Мбит/с, что примерно на 70% превосходит показатели решений предыдущего поколения. Кроме возросших характеристик быстродействия, новые модули потребляют не более 4.5 ватт энергии - как утверждает производитель, это самый низкий показатель среди всех предложений аналогичного объёма. Данных о стоимости или сроках появления модулей памяти в продаже не сообщается.