По информации сайта Tom`s Hardware, инженеры Университета Вандербильта (Нэшвилл, США) создали транзистор, используя наноалмазную плёнку. Выбранный материал, в силу стойкости алмаза к различным воздействиям, сможет обеспечивать полупроводникам стабильную работу в широком температурном диапазоне и под воздействием радиации. Кроме высокой стойкости, "алмазный" транзистор обладает отличным потенциалом производительности, что при определённых условиях делает его более перспективным, чем его кремниевых собратьев.

Несмотря на дороговизну материала, полупроводники из наноалмазной плёнки не будут сильно бить по карману покупателя. Хотя одного карата хватит примерно на миллиард транзисторов, что не много, учитывая количество полупроводников в современных процессорах (ядро Sandy Bridge включает 995 миллионов транзисторов). Сырьё для наноплёнки будет создаваться из газа Брауна и метана, что получится примерно в тысячу раз дешевле, чем использование ювелирных алмазов. Технический процесс производства микросхем может быть реализован на оборудовании для работы с кремнием, с условием, что процесс их "упаковки" должен происходить в вакууме.