Компания Globalfoundries вчера сообщила, что почти через год после начала работ по возведению в штате Нью-Йорк фабрики Fab 8 по выпуску полупроводниковых изделий имеющиеся корпуса готовы принять первое технологическое оборудование. Запуск производства состоится в 2012 году, на серийные объёмы фабрика выйдет в 2013 году, ежемесячно обеспечивая выпуск до 60 000 кремниевых пластин с микросхемами, созданными по 28 нм технологии и более совершенным версиям техпроцесса. Общая площадь "чистых комнат" составит около 28 тысяч кв.м.

Globalfoundries уже начала обживать административное здание Fab 8, а также заложила фундамент для второго административного здания. Общая площадь административных, производственных и вспомогательных зданий Fab 8 по завершении строительства должна составить 176,5 тыс. кв.м. Это будет самое крупное предприятие подобного рода в США, и самое технологически продвинутое в мире. Во всяком случае, на это рассчитывают представители Globalfoundries.

Компания также завершила возведение нового производственного корпуса в дрезденском комплексе Fab 1, который увеличит площадь "чистых комнат" на 10 219 кв.м, что позволит довести ежемесячный объёмы выпуска кремниевых пластин на Fab 1 до 80 тысяч штук. Здесь будет установлено оборудование, способное выпускать микросхемы по 45 нм и более тонким техпроцессам.

Globalfoundries также заключила соглашение с калифорнийской фирмой Intermolecular Inc., чьи разработки позволят первой из компаний оптимизировать процесс технологической подготовки производства. Подробности о соглашении не сообщаются, но Globalfoundries будет платить Intermolecular лицензионные отчисления на регулярной основе.