Intel и Micron осваивают выпуск 20 нм твёрдотельной памяти


Твёрдотельные накопители на базе 25 нм памяти типа MLC, выпущенной на совместном предприятии Intel и Micron, едва начали осваивать рынок, а на сайте Intel уже появился пресс-релиз, сообщающий о готовности компаний начать поставки 20 нм памяти типа MLC.

Сообщается, что переход на 20 нм технологию позволяет разместить на площади 118 кв.мм достаточное для хранения 8 гигабайт данных количество ячеек памяти. Это позволит уменьшить занимаемую микросхемой памяти площадь на 30-40% по сравнению с продуктами 25 нм поколения. Если пересчитать все выпускаемые IMFT микросхемы памяти в гигабайты хранимой информации, то переход на 20 нм техпроцесс позволит на 50% повысить выработку. Обещается, что 20 нм техпроцесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации, как и 25 нм техпроцесс.

На этой иллюстрации можно сравнить размеры двух микросхем памяти типа MLC объёмом по 4 Гб, выпущенных с использованием 34 нм технологии (на фото слева), и одной микросхемы объёмом 8 Гб, выпущенной по 25 нм или 20 нм технологии (на фото в центре и справа, соответственно).

Образцы 20 нм микросхем памяти объёмом 8 Гб уже поставляются в виде инженерных образцов, их массовое производство начнётся во второй половине текущего года. Тогда же появятся и образцы микросхем объёмом 16 Гб. Хотелось бы верить, что переход на 20 нм технологию не принесёт потребителям тех неприятностей, которые наблюдались при миграции на 25 нм техпроцесс.

Оценитe материал
рейтинг: 4.7 из 5
голосов: 49

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают