Эволюция типов оперативной памяти в настольных и мобильных системах сейчас замедлилась, поскольку модули DDR3 соревнуются в плотности, способности работать на высоких частотах при низких номинальных напряжениях, и в меньшей степени - непосредственно в частотном потенциале. Однако, уже во второй половине этого года JEDEC утвердит основные стандарты памяти типа DDR4, и к 2015 году он уже станет доминирующим на рынке.

Корейская компания Samsung объявила о начале опытного производства памяти типа DDR4 в модулях типа UDIMM, использующих выпущенные по 3х нм технологии микросхемы. Другой корейский производитель памяти, компания Hynix , заявила об освоении выпуска модулей DDR4 в исполнении SO-DIMM с поддержкой ECC только сегодня. Подобные модули памяти используются в серверных системах, массовые поставки соответствующих изделий Hynix планирует начать во второй половине 2012 года.

Микросхемы DDR4 плотностью 2 гигабита компания Hynix выпускает по литографической технологии класса 30 нм. Модули типа DDR4-2400 объёмом 2 Гб работают при номинальном напряжении 1.2 В, и передают информацию по 64-разрядному интерфейсу со скоростью 19.2 гигабайта в секунду. Со временем Hynix планирует наладить поставки памяти типа DDR4 не только для серверных и настольных решений, но и для планшетных устройств. Сочетание низкого энергопотребления и высокого быстродействия ценится в любом сегменте рынка.