реклама
По сравнению с 40 нм микросхемами удалось снизить уровень энергопотребления под нагрузкой на 20%, а уровень энергопотребления в режиме ожидания - на 30%. Номинальное напряжение модулей памяти равно 1.5 В. Переход на 30 нм техпроцесс, по словам представителей Elpida, позволит сократить затраты на изготовление памяти. Массовое производство модулей памяти типа SO-DIMM объёмом 4 Гб, оснащаемых 30 нм микросхемами, начнётся в первом квартале 2011 года. Более экономичные модули DDR3 будут востребованы в мобильных устройствах и планшетных компьютерах.
Сейчас обсуждают