Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Overhlopec
Компания Samsung, которая уже предложила трёхбитные микросхемы памяти, основанные на 30 нм техпроцессе, переводит свои разработки на более тонкий техпроцесс.

реклама

Буквально 10 месяцев назад компания Samsung объявила о выпуске новых микросхем NAND флэш-памяти, которая отличалась повышенным быстродействием и плотностью записи, при сохранении уровня энергопотребления. Samsung – это крупный игрок среди разработчиков и производителей памяти, и, по тем временам, чипы, основанные на нормах 30 нм техпроцесса, являлись хорошим предложением.

Как сообщает новый пресс-релиз , Samsung собирается и дальше держать марку, переводя флэш-память на более тонкий 20 нм техпроцесс. Микросхемы, выполненные данной компанией по технологии MLC, довольно быстры, а также имеют неплохие показатели плотности и энергопотребления, однако недостаточно хороши для их использования в недрах твёрдотельных накопителей. Трёхбитные чипы будут применяться в картах флэш-памяти Secure Digital и USB флэш-накопителях, не исключёно также использование в качестве базовой памяти для смартфонов и подобного рода устройств, где не нужны предельные скорости работы.

По заверениям компании, новинка, выполненная по 20 нм нормам, при вдвое большем объёме получит до 60% превосходства в скорости работы. Изначально Samsung планирует начать с более простых решений оснащённых 32 Гб памяти, а затем расширить производство до 64 Гб устройств, выполненных по той же технологии в рамках 20 нм техпроцесса.

Сейчас обсуждают