Новый стандарт памяти - CBRAM будет готов к 2011 году


Как сообщает сайт EE Times, компания Adesto Technologies готовится к запуску памяти стандарта CBRAM (память с проводящим мостиком). Компания заявила о готовности создания устройств на базе CBRAM, построенной по 130 нм техпроцессу, а образцы будут готовы уже к первому кварталу 2011 года. Концептуальное устройство продемонстрировало, что может записывать ячейку менее чем за 10 мкс при напряжении 1.6 В и токе 60 мкА. Стирание ячейки происходит быстрее, примерно за 5 мкс.

Выгода от использования памяти с проводящим мостиком очевидна. Наиболее важным является снижение энергопотребления, а также стоимости производства. Возможно, никто бы и не заметил очередного стандарта памяти, если бы она не была столь универсальной. Представители компании считают, что CBRAM сможет заменить собой флэш-память. По крайней мере, технических ограничений на этот счёт нет.

Память с проводящим мостиком уходит своими корнями в технологию программируемых ячеек металлизации (PMC), которую развивала компания Axon. В настоящее время ограниченную лицензию на эту технологию имеют такие крупные производители, как Micron, Infineon и некоторые другие компании. Однако, именно Adesto Technologies собирается представить результаты своих трудов, при этом существует целый ряд инвесторов, готовых поддержать амбициозный проект.

Оценитe материал
рейтинг: 4.7 из 5
голосов: 110

Теги

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают