Samsung начинает производство экономичной памяти типа DDR3 по техпроцессу поколения 30 нм

Производители памяти не должны отставать от всего сегмента полупроводников, который уже несколько десятилетий развивается по так называемому Закону Мура. Он обязывает производителей регулярно увеличивать плотность размещения транзисторов на кристалле микросхемы. В случае с видеочипами и процессорами это позволяет повысить быстродействие, а в случае с микросхемами памяти - преимущественно повысить объём и снизить себестоимость производства.

Компания Samsung на этой неделе сообщила, что начала массовое производство микросхем памяти типа DDR3 с пониженным энергопотреблением по техпроцессу класса 30 нм. Собственно говоря, это ещё не означает, что Samsung освоила непосредственно 30 нм техпроцесс, речь пока идёт о количестве нанометров из диапазона "30-39".

На данный момент освоен выпуск микросхем DDR3 плотностью 2 Гбита, на их основе можно создавать модули памяти типа DDR3-1866 с номинальным напряжением 1.35 В или модули памяти типа DDR3-2133 с номинальным напряжением 1.5 В. Первые найдут применение в серверах, вторые - в настольных системах. К концу года Samsung планирует наладить выпуск микросхем плотностью 4 Гбита, которые увеличат объём одного регистрового модуля DDR3 до 32 Гб, а объём модулей памяти для настольных компьютеров и ноутбуков возрастёт до 8 Гб.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 73

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают