Технологические процессы изготовления микросхем памяти опережают в своём развитии технологические процессы, применяемые при изготовлении центральных процессоров или графических чипов. Так, если производители процессоров только осваивают выпуск 32 нм изделий, то производители памяти готовятся предложить микросхемы, выпущенные по технологии "тоньше" 30 нм, уже в этом году.

Компания Samsung, являющаяся одним из ведущих производителей полупроводниковых микросхем, сегодня объявила о начале поставок образцов твёрдотельной памяти типа MLC, выпущенной по 27 нм технологии. Всего лишь год прошёл с того момента, как твёрдотельная память Samsung освоила 30 нм техпроцесс. Пока 27 нм память типа MLC будет использоваться только в картах памяти и встраиваемых устройствах, но в перспективе 27 нм память пропишется и в твёрдотельных накопителях.

Выпущенная по 27 нм технологии память MLC обеспечивает скорость передачи информации до 20 Мбайт/с на операциях чтения, и до 10 Мбайт/с на операциях записи, превосходя по этим параметрам 30 нм память на 30%. Серийное производство карт памяти типа SD на базе 27 нм памяти компания Samsung развернёт в текущем году. Карты памяти будут доступны в ёмкостях от 4 до 64 Гб. Переход на более "тонкую" технологию изготовления должен положительно сказаться на стоимости карт памяти SD.