Micron и Nanya переводят память типа DDR-3 на 42 нм техпроцесс


Память типа DDR-3 постепенно переходит на использование нового номинала напряжения: 1.35 В вместо прежних 1.5 В. Снизить уровень энергопотребления модулей памяти позволяют новые технологические процессы, по которым производятся микросхемы DDR-3. Кроме того, более "тонкий" техпроцесс позволяет повысить плотность записи информации и снизить себестоимость производства микросхем памяти.

Компании Micron и Nanya вчера заявили о завершении совместной разработки двухгигабитных микросхем памяти типа DDR3-1866, выпускать которые они собираются по 42 нм технологии с применением меди вместо традиционного алюминия. Эти микросхемы используют номинальное напряжение питания, сниженное с 1.5 до 1.35 В. По словам производителей, это обеспечивает снижение энергопотребления на 30%. Плотность записи позволяет создавать модули памяти объёмом 16 Гб.

Поставки образцов 42 нм памяти типа DDR-3 запланированы на второй квартал 2010 года, серийное производство будет развёрнуто во втором полугодии. В своих лабораториях Micron в настоящее время разрабатывает память, которая будет выпускаться по технологическим нормам менее 40 нм.

Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 42

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают