реклама
Компании Micron и Nanya вчера заявили о завершении совместной разработки двухгигабитных микросхем памяти типа DDR3-1866, выпускать которые они собираются по 42 нм технологии с применением меди вместо традиционного алюминия. Эти микросхемы используют номинальное напряжение питания, сниженное с 1.5 до 1.35 В. По словам производителей, это обеспечивает снижение энергопотребления на 30%. Плотность записи позволяет создавать модули памяти объёмом 16 Гб.
Поставки образцов 42 нм памяти типа DDR-3 запланированы на второй квартал 2010 года, серийное производство будет развёрнуто во втором полугодии. В своих лабораториях Micron в настоящее время разрабатывает память, которая будет выпускаться по технологическим нормам менее 40 нм.
Сейчас обсуждают