Hynix готова перейти на выпуск микросхем DDR-3 по 40 нм технологии


Компания Samsung уже продемонстрировала память типа DDR2-800, выпущенную по 40 нм технологии, но применить её при производстве памяти типа DDR-3 она обещала не ранее конца текущего года.

Другой крупный производитель памяти, компания Hynix Semiconductor, вчера объявила о получении микросхем памяти типа DDR-3 плотностью один гигабит, выпущенной по 40 нм технологии. Память должна быть одобрена компанией Intel, поскольку она выпущена в соответствии со спецификациями.

Память Hynix нового поколения может работать в режимах до DDR3-2133 включительно при широком диапазоне напряжений. С одной кремниевой пластины Hynix получает в полтора раза больше микросхем, чем при использовании 50 нм технологии. Технология "трёхмерного транзистора" позволяет снизить токи утечки и общий уровень энергопотребления памяти. Массовое производство памяти типа DDR-3 в микросхемах плотностью 1 Гбит по 40 нм технологии начнётся в третьем квартале текущего года.

Hynix рассчитывает со временем перенести на 40 нм техпроцесс производство других типов памяти, например, применяемой при изготовлении видеокарт. Компания надеется, что во втором полугодии выпущенная по 40 нм технологии память типа DDR-3 займёт на рынке лидирующие позиции.

Оценитe материал
рейтинг: 4.6 из 5
голосов: 45

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают