Компания Samsung сегодня объявила о том, что ей удалось разработать первые в мире микросхемы памяти типа DDR-3 плотностью 4 Гбита, выпускаемые по 50 нм технологии. Появление таких микросхем позволит создавать регистровые модули DDR-3 объёмом 16 Гб или небуферизованные модули объёмом 8 Гб. При использовании двухчиповой компоновки объём одного модуля памяти можно довести до 32 Гб.

Новая память от Samsung работает при напряжении 1.35 В - этот стандарт в последнее время активно продвигается производителями памяти и комитетом JEDEC. В модулях объёмом 16 Гб, например, использование четырёхгигабитных микросхем DDR-3 с таким номинальным напряжением позволяет снизить уровень энергопотребления на 40% по сравнению с модулем, собранным из микросхем плотностью 2 Гбита. Большинство современной памяти типа DDR-3 работает при напряжении на ядре 1.5 В.

Новая память Samsung может работать в режимах до DDR3-1600 включительно. Сроки начала серийного производства четырёхгигабитных микросхем DDR-3 не сообщаются. Модули памяти на основе таких микросхем будут востребованы в серверном сегменте, поскольку именно там цена оперативной памяти отходит на второй план после производительности. Для доступа даже к четырём гигабайтам оперативной памяти в настольной системе требуется 64-разрядная операционная система, по этой причине популярность модулей памяти объёмом свыше 4 Гб здесь ограничена.