Elpida готова выпускать память типа DDR-3 с напряжением 1.2 В

Пример компании Hynix доказывает, что с переходом на более "тонкие" техпроцессы память не только увеличивает частотный потенциал, но и снижает уровень энергопотребления. Кроме того, производитель памяти получает возможность выпускать более плотные микросхемы и экономить на удельной себестоимости.

Компания Elpida сегодня заявила о готовности начать массовое производство микросхем памяти типа DDR-3 по 50 нм технологии в январе-марте 2009 года. Новый 50 нм техпроцесс с использованием иммерсионной литографии и оборудования с длиной волны 193 нм позволяет микросхемы памяти площадью менее 40 кв.мм. Кроме стандартного напряжения 1.5 В, новые микросхемы памяти типа DDR-3 в исполнении Elpida способны работать при напряжениях 1.35 В и 1.2 В. Максимальное снижение энергопотребления достигает 50% по сравнению с микросхемами памяти, выпускаемыми по 70 нм технологии.

Примечательно, что диапазон рабочих частот 50 нм памяти Elpida лежит в широком диапазоне: от режима DDR3-800 до режима DDR3-2500. Благодаря высоким частотам и низким номинальным напряжениям, память Elpida нового поколения может найти применение не только в составе платформы LGA 1366, но и в серверном сегменте, а также мобильных устройствах. Elpida активно ведёт подготовку к переходу на 50 нм техпроцесс в производстве изделий для сегмента потребительской электроники.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.5 из 5
голосов: 32

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают